导读三星公布了其下一代DRAM和的，包括GDDR7、DDR5、LPDDR5X和V-NAND。三星宣布的三种主要DRAM和内存解决方案包括其32GbDRAM密…
三星公布了其下一代DRAM和内存解决方案的计划，包括GDDR7、DDR5、LPDDR5X和V-NAND。三星宣布的三种主要DRAM和内存解决方案包括其32GbDRAM密度，与现有的16Gb相比，现有16Gb的容量增加了33%，而24GbDDR5IC已经开发了一段时间。
该公司还宣布了其首个GDDR7内存规格，该规格将提供高达36Gbps的传输速率。与上个季度投入生产的三星当前最快的24GbpsGDDR6内存解决方案相比，速度提高了50%。AMD的下一代RDNA3GPU预计将率先采用全新的GDDR6模块，但GDDR7必须等待一两代才能看到它的实际应用。
跨384位总线的36GbpsDRAM接口应提供高达1.7TB/s的带宽，而具有相同速度的256位总线接口将提供高达1.15TB/s的带宽。与美光当前的GDDR6X解决方案相比，两者的带宽数据都要高得多。
新闻稿：先进半导体技术的全球领导者三星电子今天在2022年三星技术日展示了一系列旨在推动未来十年数字化转型的尖端半导体解决方案。自2017年以来的年度会议，该活动回到了-三年后在圣何塞希尔顿西嘉酒店入住的人。
今年的活动有800多名客户和合作伙伴参加，三星的内存和系统LSI业务负责人发表了演讲，其中包括内存业务总裁兼负责人Jung-baeLee;Yong-InPark，系统LSI业务总裁兼负责人;和执行副总裁兼设备解决方案(DS)美洲办事处负责人JaeheonJeong—关于公司的最新进展及其对未来的愿景。
